Chủ đề chung: Vi mạch và cảm biến Thời gian: 27/05/2017 13:15 ~ 16:30 Địa điểm: 文京区役所 区民施設アカデミー千石 〒112-0011 Tōkyō-to, Bunkyō-ku, Sengoku, 1 Chome−２５−３ ——————- Chương trình ——————– ★13:15-13:20: Khai mạc ★13:20-13:30: Giới thiệu sơ qua về chương trình Nguyễn Ngọc Mai Khanh, The University of Tokyo ★13:30-14:10: “MEMS sensor […]
Nhóm nghiên cứu liên kết giữa đại học Tokyo, gồm tiến sĩ Lê Đức Anh (thành viên VANJ) và giáo sư Masaaki Tanaka, và phó giáo sư Phạm Nam Hải thuộc học viện công nghệ Tokyo vừa công bố việc quan sát thành công sự phân cực tự phát giữa mức năng lượng của hai trạng thái spin hướng lên và hướng xuống trong dải năng lượng dẫn của chất bán dẫn Indium Arsenide (InAs) pha tạp nguyên tử sắt (Fe). InAs là một chất bán dẫn hệ III-V (được tạo thành bởi sự liên kết của một nguyên tố nhóm III và một nguyên tố nhóm V trong bản tuần hoàn hóa học) có vai trò quan trọng trong các thiết bị điện tử tốc độ cao. Đây là lần đầu tiên hiện tượng phân cực tự phát mức năng lượng vùng dẫn của hai trạng thái spin được thực hiện thành công trong một chất bán dẫn sắt từ (Ferromagnetic Semiconductor – FMS).
