Diễn đàn Trí thức trẻ Việt Nam Toàn cầu lần thứ II: góc nhìn từ Nhật Bản

Hình 1: Các thành viên đoàn Nhật Bản tham dự Diễn đàn

Tác giả: TS. Nguyễn Linh Đan Diễn đàn Trí thức trẻ Việt Nam Toàn cầu lần thứ hai với chủ đề “Trí thức trẻ Việt Nam vì mục tiêu Phát triển Bền vững Đất nước” đã thu hút hơn 200 đại biểu độ tuổi dưới 35 trong và ngoài nước […]

Chất bán dẫn pha tạp sắt – Vật liệu mở đường cho thế hệ thiết bị bán dẫn điện tử sử dụng spin

Trong hợp chất bán dẫn sắt từ (In,Fe)As (ảnh dưới), sự tương tác giữa các spin của nguyên tử Fe với các hạt dẫn điện tử tạo ra trạng thái sắt từ và sự phân cực tự phát lớn giữa mức năng lượng của hai trạng thái spin của hạt điện tử tại vùng dẫn (ảnh trên).

Nhóm nghiên cứu liên kết giữa đại học Tokyo, gồm tiến sĩ Lê Đức Anh (thành viên VANJ) và giáo sư Masaaki Tanaka, và phó giáo sư Phạm Nam Hải thuộc học viện công nghệ Tokyo vừa công bố việc quan sát thành công sự phân cực tự phát giữa mức năng lượng của hai trạng thái spin hướng lên và hướng xuống trong dải năng lượng dẫn của chất bán dẫn Indium Arsenide (InAs) pha tạp nguyên tử sắt (Fe). InAs là một chất bán dẫn hệ III-V (được tạo thành bởi sự liên kết của một nguyên tố nhóm III và một nguyên tố nhóm V trong bản tuần hoàn hóa học) có vai trò quan trọng trong các thiết bị điện tử tốc độ cao. Đây là lần đầu tiên hiện tượng phân cực tự phát mức năng lượng vùng dẫn của hai trạng thái spin được thực hiện thành công trong một chất bán dẫn sắt từ (Ferromagnetic Semiconductor – FMS).